El transistor de efecto de campo de silicio de óxido de metal, abrevia como MOSFET (en inglés Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor). Es simplemente un transistor unipolar quese utiliza como interruptor electrónico para amplificar señales electrónicas. El dispositivo tiene tres terminales que consisten en una fuente, una puerta y un drenaje. Además de estos terminales, existe un sustrato generalmente llamado cuerpo que siempre está conectado al terminal fuente para aplicaciones prácticas.
En los últimos años, su descubrimiento ha llevado al uso dominante de estos dispositivos en circuitos integrados digitales debido a su estructura, puedes ver el catálogo completo de MOSFET en la siguiente URL: https://www.tme.eu/es/katalog/modulos-de-transistores-mosfet_113458/. La capa de dióxido de silicio (SiO2) actúa como aislante y proporciona aislamiento eléctrico entre la puerta y un canal activo entre la fuente y el drenaje que proporciona una alta impedancia de entrada que es casi infinita, capturando así toda la señal de entrada.
Principio de funcionamiento de MOSFET
Se fabrican por oxidación de sustratos de silicio. Funciona alterando el ancho del canal a través del cual se produce el movimiento de los portadores de carga (electrones para el canal N y huecos para el canal P) desde la fuente hasta el drenaje. El terminal de puerta está aislado cuyo voltaje regula la conductividad del dispositivo.
Tipos de MOSFET
Según el modo operativo, los MOSFET se pueden clasificar en dos tipos.
Puedes encontrar todos los subtipos de MOSFET en tme.eu.
MOSFET de tipo mejorado
En este modo, no hay conducción a voltaje cero, lo que implica que está cerrado o «APAGADO» por defecto ya que no hay un canal existente. Cuando el voltaje de la puerta aumenta más que el voltaje de la fuente, los portadores de carga (agujeros) se alejan dejando atrás los electrones y, por lo tanto, se establece un canal más amplio.
El voltaje de la puerta es directamente proporcional a la corriente, es decir, a medida que aumenta el voltaje de la puerta, aumenta la corriente y viceversa.
Los MOSFET de mejora se pueden clasificar en dos tipos según el tipo de sustrato dopado (tipo n o tipo p) utilizado.
MOSFET tipo agotamiento
En este tipo, el canal ya está establecido y es evidente que la conducción se da incluso con voltaje cero y está abierto o “ON” por defecto. A diferencia del tipo Mejora, aquí el canal se agota de portadores de carga para reducir el ancho del canal.
El voltaje de la puerta es inversamente proporcional a la corriente, es decir, a medida que aumenta el voltaje de la puerta, la corriente disminuye.
Los MOSFET de empobrecimiento se pueden clasificar en dos tipos según el tipo de sustrato dopado (tipo n o tipo p) utilizado.
